Описание:
Тип: внутренний
Емкость: 1000 ГБ
Форм фактор: M.2
Интерфейс: PCIe Gen 3.0 x4
Тип NAND памяти: 3D NAND
Внешняя скорость записи: 2800 Мб/сек
Внешняя скорость считывания: 3500 Мб/сек
Дополнительно
Рабочая температура: 0°C до 70°C
Рабочее напряжение: 3.3 В±5%
Сертификаты: FCC, BSMI, CE
* Цвет или оттенок изделия на фотографии может отличаться от реального. Характеристики и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления. Магазин не несет ответственности за изменения внесенные производителем.