SHARP представила новую технологию следующего поколения

SHARP представила новую технологию следующего поколения быстродействующей энергонезависимой памяти RRAM.

На международном форуме «International Electron Devices Meeting (IEDM)",который проходил 11-13 декабря 2006 года в Сан-Франциско (Калифорния, США), корпорация SHARP представила новую технологию следующего поколения энергонезависимой памяти RRAM , способной к программированию данных приблизительно в 100 раз быстрее, чем существующая на сегодняшний день FLASH-память. По словам специалистов SHARP уже в 2007 году компания завершит разработку технологического процесса производства RRAM памяти, что позволит приступить к массовому производству быстродействующих накопителей информации.

Sharp Corporation Public Relations Division